宽谱光源驱动谐振光纤陀螺（RFOG）利用宽带光源抑制寄生噪声。然而，宽带光源引入的过量相对强度噪声（RIN）成为陀螺精度提升的主要限制因素。因此，考虑到不同光纤环形谐振腔（FRR）参数的影响，研究宽谱光源驱动RFOG中的RIN具有重要意义。基于宽带光源驱动RFOG的传输特性，构建了宽谱光源驱动RFOG中RIN的理论模型。分析了放大自发辐射源（ASE）谱宽和谐振环的分光比对腔内RIN的影响，并通过实验验证了理论结果的准确性。这些结果为减轻宽带光源驱动RFOG系统中的RIN提供了理论参考。

对粉煤灰基多孔陶瓷的有效利用不但能够减少粉煤灰对环境的污染, 而且在废水处理等领域表现出较高的应用价值。本文以粉煤灰为主要原料, 膨润土为黏结剂, 活性炭为造孔剂, 采用直接成型烧结工艺制备了一种性能优异的多孔陶瓷材料, 并研究了烧结温度和活性炭用量对多孔陶瓷结构与性能的影响。结果表明, 粉煤灰/膨润土烧结形成陶瓷骨架, 活性炭氧化形成孔洞结构, 在两者协同作用下形成多孔陶瓷材料。随着烧结温度的升高和活性炭用量的减少, 多孔陶瓷材料的显气孔率和吸水率减小, 体积密度和抗压强度增大。当烧结温度为1 100 ℃和活性炭用量为60%(质量分数)时, 所制备的多孔陶瓷综合性能更优, 显气孔率为6175%, 体积密度为093 g·cm-3, 吸水率为 6348%, 抗压强度为429 MPa, 对浓度为100 mg·L-1的Pb2+溶液的去除率为984%, 饱和吸附量高达4579 mg·g-1。

偏振噪声是谐振式光纤陀螺谐振腔中较为严重的光学噪声之一。基于琼斯矩阵的方法建立完整的光路传输模型，对谐振腔顺时针和逆时针两路光传输进行分析，得到环境温度在-40 ℃~80 ℃范围内变化时偏振噪声导致的陀螺误差。结果表明，在线起偏器消光比为30 dB时，耦合器直通端对准角度误差小于2.78°，耦合系数为0.05，双90°熔接点两侧光纤长度差容错值在0.207 m以内，使得陀螺输出误差小于0.01（°）/h。基于此，当陀螺系统工作导致内部温度分布非均匀时，谐振腔上每相邻两段光纤间温度分布差需小于3.122 ℃。各影响因素的参数选择可为变温环境下由于偏振噪声导致的误差分配设计提供理论指导。

从原子受力模型出发, 研究光栅磁光阱中衍射光与磁场非正交条件下亚多普勒冷却机制, 建立四束型和五束型光栅磁光阱中原子受力冷却和陷俘理论模型, 分析光栅磁光阱作用下原子受到散射力与陷俘速度、回复力与形成势阱范围关系, 以及光栅衍射角对原子陷俘速度和原子囚陷范围的影响。结果表明, 衍射光与入射光的合力在磁场中心位置为零, 构成有效势阱, 光栅衍射角引起的衍射光偏振分量的变化对原子所受阻尼力、回复力和原子陷俘速度均有影响, 也会最终影响到光栅磁光阱囚禁的原子数, 为光栅磁光阱实现原子冷却和陷俘, 以及光栅芯片设计提供了理论依据。

基于三角形衍射光栅搭建的三维磁光阱实现了87Rb原子的冷却囚禁，自主完成了三角形衍射光栅的设计制备，在保证合理衍射效率及衍射圆偏度的情况下有效抑制了零级光效率，其参数满足光学粘胶平衡条件。基于该光栅搭建了一套磁光阱系统，开展原子囚禁实验。在合理的参数设置下，成功实现了原子囚禁，经测算囚禁原子数量在106量级。基于三角形衍射光栅的原子冷却囚禁实验的成功，对于三维磁光阱的低功耗、小型化具有参考意义，有望应用于小型化冷原子精密测量系统中。

为研究磁场对三能级囚禁离子量子动力学的影响,严格求解了单个三能级囚禁离子 在磁-光场作用下的Jaynes-Cummings模型,对囚禁离子的平均振动量子数和离子振动态的 压缩效应进行了数值分析。结果表明:平均振动量子数的时间演化显示出与二能级Jaynes-Cummings模 型相似的塌缩-回复特征,且磁场越强回复周期也越长;在强磁场耦合情形下,磁场能显著增强离子 振动态的压缩效应;离子初始处于激发叠加态时可观测到最大的振幅压缩。

利用两对部分重叠的磁光阱(MOT) 和转移线圈产生的可移动四极磁阱(QMT) 实现了87Rb冷原子从MOT中心向原子芯片的高效率输运。采取了线性增加转移线圈电流、同时保持MOT线圈电流不变的QMT移动方式, 磁阱的移动速度构型为类Blackman型。利用该QMT输运方案, 冷原子从MOT中心转移到原子芯片表面, 转移过程中冷原子温度升高约30μK, 原子转移效率高于90%。该系统可以为原子芯片干涉仪提供合适的冷原子源, 也可以用来研究原子与芯片表面的相互作用。

使用R-4B和GIrl作为磷光掺杂剂、CBP为主体、BPhen为发光层间隔层, 制备了包含红、绿双发光层的黄色磷光OLED器件。器件结构为ITO/MoO3(40 nm)/NPB(40 nm)/TCTA(10 nm)/CBP: GIrl(14%)(20 nm)/BPhen(x nm)/CBP: R-4B(6%)(10 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(1 nm)/Al(1 000 nm)。BPhen位于两发光层之间, 具有调节载流子复合的功能, 其中x为BPhen的厚度。通过调整x的值, 研究了BPhen厚度对OLED器件发光性能的影响。实验结果表明, 适当厚度的BPhen层可以提高器件的发光亮度和电流效率。BPhen厚度为6 nm的器件性能最佳, 16 V驱动电压下的器件亮度最高可达11 270 cd/m2, 最大电流效率为24.35 cd/A, 而且绿光和红光波峰强度相近, 黄光颜色纯正, 色坐标趋近于(0.5, 0.5)。